微观机理分析分系统

系统核心指标

1. 形貌分析空间分辨率：0.1nm

2. ARPES系统能量分辨率：10meV

1. 空间综合环境与表面效应研究子系统

空间综合环境与表面效应研究子系统

实现超高真空下材料的制备、表面原子结构、电子态与化学态的分析

1. 真空度：10^-8Pa

2. 角分辨光发射能谱仪能量分辨率：10meV；

3. 原子成像分辨率：0.1nm；

4. 微区X射线光电子能谱仪空间分辨率：≤10μm

5. 气体环境综合模拟舱：模拟原子氢、原子氧、电子、紫外等空间环境

1. 角分辨光电子能谱仪

2. 低温扫描隧道显微镜

3. 气体综合环境模拟舱

4. 微区X射线光电子能谱仪

5. 脉冲激光分子束外延

材料物相与组织结构分析子系统

实现对材料微观结构、成分等信息的表征与分析

1. X射线衍射仪测角仪最小步长：0.0001度；

2. 拉曼光谱仪光谱分辨率：≤0.5cm^-1；

3. 原子力显微镜分辨率：0.05nm；

4. 磁畴观测分辨率：300nm；

1. 高分辨X射线衍射仪

2. 激光拉曼光谱仪

3. 原子力显微镜

4. 磁光克尔显微镜

5. 真空紫外分光光度计

材料电光磁热性能分析子系统

实现材料热学、电学、磁学等性能与电子结构的测试与分析

1. 物理性能最低测试温度2K；

2. 磁学性能测试最大磁场14T；

3. 温度场、磁场、直流电场、交流电场及光场多场耦合条件下半导体特性测量；

4. 荧光光谱仪灵敏度：信噪比不小于12000:1;

1. 物性测量系统

2. 磁学性能测量系统

3. 荧光光谱仪

4. 铁电材料测试仪

5. 多环境场耦合半导体测试性能系统

6. 光探测磁共振仪

空间材料/半导体器件制备子系统

实现块体与薄膜材料、多晶与单晶材料以及半导体器件的多尺度可控制备

1. 块体材料制备最高温度不低于2200℃；

2. 薄膜材料制备最高温度不低于1150℃；

3. 电子束曝光系统最小线宽为10nm；

4. 原型器件制备刻蚀精度为1μm；

1. 光学浮区法单晶炉

2. 区熔法单晶炉

3. 光电薄膜电子束蒸镀

4. 光电功能材料制备系统

5. 放电等离子体烧结炉

6. 电子束曝光与原位测量系统

7. 原型器件制备系统