深能级瞬态谱仪DLTS

主要规格及技术参数

1. 温度范围:20 - 675K

2. 电容测试单元: Boonton 72B电容表

3. 电容范围: 0.01 to 3000 pF

4. 量程: 1, 3, 10, 30, 100, 300, 1000, 3000 pF

5 脉冲发生器电压范围：±20V－±100V

6. 脉冲宽度范围：1μs-1000s

7. 电压分辨率：0.625mV

主要功能及特色

1.测量III-V族半导体材料（GaInP, GaAs, InGaAs等）、IV族半导体材料（Si, Ge等）以及宽禁带半导体材料（Ga2O3,SiC,GaN等）内缺陷的能级、浓度及俘获截面等缺陷信息。

2.配备DLTS及DLOS两种测试模式，在20k－450k及77K-675K低温恒温以及激发光谱范围200nm－2500nm条件下测量深能级缺陷。

3.提供瞬态电容分析，C-DLTS，CC-DLTS，I-DLTS，Laplace模式DLTS、基于Laplace变换的多种数值处理方法、允许对Laplace测量序列进行编程的脚本、用于测试内置数值方法的瞬态仿真程序、导纳谱（Admittance spectrometry）等。