光电功能材料制备系统

主要规格及技术参数

1. LPE：功率21kW/380，最高工作温度1150 ℃，额定工作温度1050 ℃，温区5温区独立回路，温区尺寸300mm × 300mm。

2. 提拉法：有效行程550 mm，速度精度（实际速度-设定速度）/实际速度≤0.5%，提拉速度0.1-30 mm/h，提拉系统突跳0.001 mm，压力控制范围133Pa-90 kPa，称重分辨率10mg，功率精度额定值的±0.5‰W，真空度10 Pa。

3. 类泡生：提拉有效行程700 mm，提拉速度范围0.1~100 mm/h，旋转速度范围0.1~40 r/min，手控提拉速度0~100 mm/min，称重量程50kg，称重显示精度10 mg，中频功率0~100Kw，中频功率精度1‰，充气压力0.05 MPa，炉膛尺寸Φ1200×1500 mm，最低提拉速度0.1 mm/h，提拉系统突跳0.001 mm（1mm/h）。

主要功能及特色

1. 液相外延技术可以生长Si、GaAs、GaAlAs、GaP等半导体材料以及石榴石YIG等磁性材料的单晶薄膜，用以做成各种光电子器件、空间微波器件、光学器件和磁光隔离器。

2. 提拉法，即直接从熔体中拉制出具有各种截面形状晶体的生长技术。通过控制提拉法晶体炉的平稳性、均匀性和可靠性，自动化程度，提高设备的高精度、高灵敏度控温，可以实现高品质氧化物单晶的可控制备。

3.泡生法生长单晶是在真空环境中，通过电阻加热将原料熔化，通过籽晶引导，采用精密上称重技术进行微量提拉生长优质光学级单晶。类泡生法晶体炉的优势在于生长周期短，晶体质量优异，达到光学等级以上，能耗较低，设备及热场稳定性高，重复型好，损耗小，高取材率，安全性高。