SiC化学气相沉积炉
2022/04/21 14:14 点击：23
仪器名称：SiC化学气相沉积炉（建设中） 厂家：湖南顶立科技有限公司 型号：VCVD-0608-SIC 联系人： 电话： 地点： |
主要规格及技术参数
沉积炉有效工作区尺寸：Φ 600mm×800 mm；最高使用温度：不低于1500℃；温度均匀性：≤±10℃；同一炉次，同一水平沉积厚度偏差≤±20%。
主要功能及特色
碳化硅属于第三代半导体材料，具有带隙宽、电子饱和漂移率高，击穿场强高，抗辐射能力强等诸多优点，具有优良的电子特性，打破了石墨烯固有的“零带隙”缺陷，在光电传感器、集成电路等领域具有巨大的应用前景。通过SiC化学气相沉积炉可以实现SiC材料的可控制备，为SiC光电材料提供制备基础。采用多温区独立控温、特殊结构沉积室、多通道沉积气路，温度均匀性好，密封效果好，抗污染能力强，流场均匀，无沉积死角。控温方面采用超高温、大电流引电技术，能保证在1500℃条件下长时间稳定使用。
